SI7322ADN-T1-GE3 与 RH6P040BHTB1 区别
| 型号 | SI7322ADN-T1-GE3 | RH6P040BHTB1 | ||||||
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| 唯样编号 | A-SI7322ADN-T1-GE3 | A32-RH6P040BHTB1-1 | ||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | HSMT8 | ||||||
| 功率耗散Pd | 26W(Tc) | 59W | ||||||
| 连续漏极电流Id | 15.1A(Tc) | 40A | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 57 mOhms @ 5.5A,10V | 15.6mΩ@40A,10V | ||||||
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 50 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI7322ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
15.1A(Tc) N-Channel 57 mOhms @ 5.5A,10V 26W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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RH6P040BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40A 100V HSMT8 59W ±20V 15.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
￥8.285
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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RH6P040BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40A 100V HSMT8 59W ±20V 15.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 130 | 对比 | ||||||||||
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RH6P040BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40A 100V HSMT8 59W ±20V 15.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
￥10.1103
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100 | 对比 | ||||||||||
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RH6P040BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40A 100V HSMT8 59W ±20V 15.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
￥8.8
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50 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
