SI7135DP-T1-GE3 与 BSC060P03NS3EG 区别
| 型号 | SI7135DP-T1-GE3 | BSC060P03NS3EG |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI7135DP-T1-GE3 | A-BSC060P03NS3EG |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 30 V 0.0039 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8 | MOSFET P-Ch -30V -100A TDSON-8 OptiMOS P3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5mΩ | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 6.25W(Ta),104W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 Single | TDSON-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 60A | - |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 8650pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 250nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 50 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI7135DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) PowerPAK® SO-8 Single P-Channel 30V 60A 5mΩ |
暂无价格 | 50 | 当前型号 |
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FDMS6681Z | ON Semiconductor | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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BSC060P03NS3EG | Infineon | 功率MOSFET |
TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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