SI7129DN-T1-GE3 与 DMG7401SFG-7 区别
| 型号 | SI7129DN-T1-GE3 | DMG7401SFG-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI7129DN-T1-GE3 | A36-DMG7401SFG-7-1 |
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET |
| 描述 | P-Channel 30 V 0.0114 O 71 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8 | -30V 9.8A 13mO P-ch POWERDI3333 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 3.8W(Ta),52.1W(Tc) | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | PowerPak1212-8 | PowerDI3333-8 |
| 工作温度 | -50°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 35A | - |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3345pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 71nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 16mΩ | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7129DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),52.1W(Tc) -50°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 P-Channel 30V 35A 16mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
￥3.648
|
3,498 | 对比 | ||||||||||
|
|
DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||
|
|
DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||
|
AON7401 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
DMG7401SFG-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 940mW(Ta) 11mΩ@12A,20V -55°C~150°C(TJ) PowerDI P-Channel 30V 9.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
