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SI7129DN-T1-GE3  与  DMG7401SFG-7  区别

型号 SI7129DN-T1-GE3 DMG7401SFG-7
唯样编号 A-SI7129DN-T1-GE3 A3-DMG7401SFG-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 P-Channel 30 V 0.0114 O 71 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8 -30V 9.8A 13mO P-ch POWERDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 3.8W(Ta),52.1W(Tc) -
漏源极电压Vds 30V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 PowerPak1212-8 PowerDI3333-8
工作温度 -50°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 35A -
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3345pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 71nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
导通电阻Rds(On) 16mΩ -
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7129DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),52.1W(Tc) -50°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 P-Channel 30V 35A 16mΩ

暂无价格 0 当前型号
DMG7401SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥3.648 

阶梯数 价格
20: ¥3.648
100: ¥3.036
1,000: ¥2.748
2,000: ¥2.64
3,498 对比
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暂无价格 2,000 对比
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AON7401 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V

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暂无价格 0 对比

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