SI7101DN-T1-GE3 与 RQ3E120ATTB 区别
| 型号 | SI7101DN-T1-GE3 | RQ3E120ATTB | ||||||||
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| 唯样编号 | A-SI7101DN-T1-GE3 | A32-RQ3E120ATTB-1 | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | P-Channel 30 V 52 W 32 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPak 1212-8 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 3.7W(Ta),52W(Tc) | 2W | ||||||||
| 宽度 | - | 2.4mm | ||||||||
| 上升时间 | - | 30ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 39V | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 62nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±20V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 140ns | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | PowerPak1212-8 | HSMT | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 35A | 12A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||
| 系列 | TrenchFET® | RQ | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 1mA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3595pF @ 15V | 3200pF @ 15V | ||||||||
| 长度 | - | 3mm | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 102nC @ 10V | 62nC @ 10V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||||||
| 下降时间 | - | 95ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 20ns | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 7.2mΩ | 8mΩ@-12A,-10V | ||||||||
| 高度 | - | 0.85mm | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 5,950 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI7101DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 35A(Tc) ±25V 3.7W(Ta),52W(Tc) 7.2mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 30V 35A 7.2mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥4.9851
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5,950 | 对比 | ||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥2.2786
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0 | 对比 | ||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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