SI5936DU-T1-GE3 与 FDMB3800N 区别
| 型号 | SI5936DU-T1-GE3 | FDMB3800N |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI5936DU-T1-GE3 | A3t-FDMB3800N |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | 30V, 6A, 30 MOHM, DUAL N-CH, PPAK CHIPFET | Dual N-Channel 30 V 40 mO PowerTrench Mosfet MicroFET 3X1.9 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 3/4W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 40 毫欧 @ 4.8A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 750mW |
| FET类型 | - | 逻辑电平门 |
| 封装/外壳 | SMD | 8-MLP,MicroFET(3x1.9) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 4.8A |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 465pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.6nC @ 5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 465pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.6nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI5936DU-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SMD |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDMB3800N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
40m Ohms@4.8A,10V 750mW -55°C~150°C(TJ) MLP N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 30V 4.8A 40 毫欧 @ 4.8A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN 8-MLP,MicroFET(3x1.9) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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