SI5935CDC-T1-GE3 与 NTHD4102PT1G 区别
| 型号 | SI5935CDC-T1-GE3 | NTHD4102PT1G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI5935CDC-T1-GE3 | A-NTHD4102PT1G |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET |
| 描述 | Dual P-Channel 20 V 100 mO 11 nC Surface Mount Mosfet - 1206-8 ChipFET | Dual P-Channel 20 V 64 mOhm 1.1 W Surface Mount Power MOSFET - CASE 1206A |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | ChipFET-8 | SMD-8P |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 3.1A | - |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 100mΩ | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 455pF @ 10V | - |
| 漏源极电压Vds | 20V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11nC @ 5V | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI5935CDC-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) ChipFET-8 P-Channel 20V 3.1A 100mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
NTHD4102PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SMD-8P |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
|
NTHD4102PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SMD-8P |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
