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SI4948BEY-T1-GE3  与  DMP6110SSD-13  区别

型号 SI4948BEY-T1-GE3 DMP6110SSD-13
唯样编号 A-SI4948BEY-T1-GE3 A-DMP6110SSD-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Si4948BEY Series Dual P-Channel 60 V 120 mOhms Surface Mount Power Mosfet-SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 120mΩ 105mΩ@4.5A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.2W
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOIC-8 SOP-8
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.4A 3.3A
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 969pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V 17.2nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4948BEY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

1.4W -55°C~175°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 60V 2.4A 120mΩ

暂无价格 0 当前型号
DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

105mΩ@4.5A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SOP-8 P-Channel 60V 3.3A ±20V

¥1.65 

阶梯数 价格
40: ¥1.65
100: ¥1.265
1,250: ¥1.111
2,500: ¥1.045
5,666 对比
IRF7342PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 105mΩ@3.4A,10V 2W P-Channel 55V 3.4A 8-SO

暂无价格 0 对比
DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

105mΩ@4.5A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SOP-8 P-Channel 60V 3.3A ±20V

暂无价格 0 对比
DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

105mΩ@4.5A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SOP-8 P-Channel 60V 3.3A ±20V

暂无价格 0 对比

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