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SI4850EY-T1-GE3  与  DMT6016LSS-13  区别

型号 SI4850EY-T1-GE3 DMT6016LSS-13
唯样编号 A-SI4850EY-T1-GE3 A36-DMT6016LSS-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 SI4850EY Series 60 V 6 A 22 mOhm SMT N-Channel Fast Switching Mosfet - SOIC-8 DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 22mΩ 18mΩ
上升时间 - 5.2ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.7W(Ta) 2.1W
Qg-栅极电荷 - 17nC
栅极电压Vgs ±20V 1V
典型关闭延迟时间 - 13ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOIC-8 SO
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6A 9.2A
系列 TrenchFET® DMT60
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 864pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V 17nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 3.4ns
库存与单价
库存 5 2,697
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.046
100+ :  ¥1.584
1,250+ :  ¥1.375
2,500+ :  ¥1.298
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4850EY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.7W(Ta) -55°C~175°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 6A 22mΩ

暂无价格 5 当前型号
DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 9.2A 2.1W 18mΩ 60V 1V

¥2.046 

阶梯数 价格
30: ¥2.046
100: ¥1.584
1,250: ¥1.375
2,500: ¥1.298
2,697 对比
AUIRF7478QTR Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 26mΩ@4.2A,10V N-Channel 60V 7A 8-SO 车规

暂无价格 0 对比
DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 9.2A 2.1W 18mΩ 60V 1V

暂无价格 0 对比
DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 9.2A 2.1W 18mΩ 60V 1V

暂无价格 0 对比
AO4438 AOS 功率MOSFET

8.2A(Ta) N-Channel ±20V 22 mΩ @ 8.2A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比

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