SI4850EY-T1-GE3 与 DMT6016LSS-13 区别
| 型号 | SI4850EY-T1-GE3 | DMT6016LSS-13 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4850EY-T1-GE3 | A36-DMT6016LSS-13 | ||||||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | SI4850EY Series 60 V 6 A 22 mOhm SMT N-Channel Fast Switching Mosfet - SOIC-8 | DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 22mΩ | 18mΩ | ||||||
| 上升时间 | - | 5.2ns | ||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W(Ta) | 2.1W | ||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 17nC | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 1V | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 13ns | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SO | ||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 6A | 9.2A | ||||||
| 系列 | TrenchFET® | DMT60 | ||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||
| 配置 | - | Single | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 864pF @ 30V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 27nC @ 10V | 17nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||||
| 下降时间 | - | 7ns | ||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 3.4ns | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 5 | 1,410 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SI4850EY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.7W(Ta) -55°C~175°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 6A 22mΩ |
暂无价格 | 5 | 当前型号 | ||||||||
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DMT6016LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 9.2A 2.1W 18mΩ 60V 1V |
￥2.321
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1,410 | 对比 | ||||||||
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AUIRF7478QTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 26mΩ@4.2A,10V N-Channel 60V 7A 8-SO 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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DMT6016LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 9.2A 2.1W 18mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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DMT6016LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 9.2A 2.1W 18mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AO4438 | AOS | 功率MOSFET |
8.2A(Ta) N-Channel ±20V 22 mΩ @ 8.2A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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