SI4850EY-T1-E3 与 FDS5682 区别
| 型号 | SI4850EY-T1-E3 | FDS5682 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4850EY-T1-E3 | A3t-FDS5682 | ||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 | ||
| 描述 | Single N-Channel 60 V 0.022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率 | - | 2.5W(Ta) | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 22 mOhms @ 6A,10V | 21 毫欧 @ 7.5A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W(Ta) | - | ||
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | ||
| 连续漏极电流Id | 6A(Ta) | 7.5A(Ta) | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1650pF @ 25V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SI4850EY-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 6A,10V 1.7W(Ta) 8-SOIC -55°C~175°C 60V |
￥2.0793
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0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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FDS5682 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A |
￥25.6617
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1,039 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
￥13.4537
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534 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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