SI4850EY-T1-E3 与 RS6L120BGTB1 区别
| 型号 | SI4850EY-T1-E3 | RS6L120BGTB1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4850EY-T1-E3 | A3-RS6L120BGTB1 |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 60 V 0.022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | HSOP8 (Single) |
| 连续漏极电流Id | 6A(Ta) | 120A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 22 mOhms @ 6A,10V | 2.7mΩ@90A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W(Ta) | 104W |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 100 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4850EY-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 6A,10V 1.7W(Ta) 8-SOIC -55°C~175°C 60V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
|
FDS5682 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
|
RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A |
￥15.5714
|
801 | 对比 | ||||||||||||
|
RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
￥10.6269
|
284 | 对比 | ||||||||||||
|
|
RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
|
|
RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
暂无价格 | 100 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
