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SI4850BDY-T1-GE3  与  RS6L120BGTB1  区别

型号 SI4850BDY-T1-GE3 RS6L120BGTB1
唯样编号 A-SI4850BDY-T1-GE3 A3-RS6L120BGTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 8.4A(Ta),11.3A(Tc) 120A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs 19.5 mOhms @ 10A,10V 2.7mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 104W
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 2.8V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 40 100
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4850BDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.4A(Ta),11.3A(Tc) N-Channel 19.5 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 60V

暂无价格 40 当前型号
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥25.6617 

阶梯数 价格
6: ¥25.6617
10: ¥16.7788
50: ¥11.6331
100: ¥10.9911
300: ¥10.5599
500: ¥10.4736
1,000: ¥10.4161
1,050 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A

¥13.4537 

阶梯数 价格
20: ¥13.4537
50: ¥8.308
100: ¥7.666
300: ¥7.2348
500: ¥7.1485
594 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

暂无价格 100 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A

暂无价格 100 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A

¥12.884 

阶梯数 价格
1: ¥12.884
100: ¥6.442
99 对比

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