首页 > 商品目录 > > > > SI4848ADY-T1-GE3代替型号比较

SI4848ADY-T1-GE3  与  RS6R035BHTB1  区别

型号 SI4848ADY-T1-GE3 RS6R035BHTB1
唯样编号 A-SI4848ADY-T1-GE3 A-RS6R035BHTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 150V 35A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 84mΩ@3.9A,10V 41mΩ@35A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 5W 73W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 5.5A(Tc) 35A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 335pF @ 75V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.5nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥13.5821
100+ :  ¥6.7911
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4848ADY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 5.5A(Tc) ±20V 5W 84mΩ@3.9A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

暂无价格 0 当前型号
RS6R035BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55℃~150℃ ±20V 150V 35A

¥12.1984 

阶梯数 价格
20: ¥12.1984
50: ¥7.6564
100: ¥7.091
300: ¥6.7173
500: ¥6.6407
1,000: ¥6.5832
2,000: ¥6.5544
2,480 对比
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

¥28.4119 

阶梯数 价格
6: ¥28.4119
10: ¥16.6447
30: ¥12.553
50: ¥11.7385
100: ¥11.1252
300: ¥10.7132
500: ¥10.6269
1,000: ¥10.5694
1,200 对比
RS6R035BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55℃~150℃ ±20V 150V 35A

暂无价格 200 对比
RS6R035BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55℃~150℃ ±20V 150V 35A

¥13.5821 

阶梯数 价格
1: ¥13.5821
100: ¥6.7911
100 对比
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

¥18.9871 

阶梯数 价格
1: ¥18.9871
100: ¥9.4935
95 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售