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SI4840BDY-T1-GE3  与  IRF7468PBF  区别

型号 SI4840BDY-T1-GE3 IRF7468PBF
唯样编号 A-SI4840BDY-T1-GE3 A-IRF7468PBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 40 V 0.009 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 Single N-Channel 40 V 2.5 W 23 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ 15.5mΩ@9.4A,10V
漏源极电压Vds 3V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),6W(Tc) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOIC-8 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 19A 9.4A
系列 SI4 -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2460pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
2,500+ :  ¥4.504
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4840BDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 19A 9mΩ 3V

¥4.504 

阶梯数 价格
2,500: ¥4.504
0 当前型号
FDS4470 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

12.5A(Ta) +30V,-20V 2.5W(Ta) 9mΩ@12.5A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 12.5A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
IRF7468PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) 15.5mΩ@9.4A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 40V 9.4A 8-SO

暂无价格 0 对比
FDS4480 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

10.8A(Ta) +30V,-20V 2.5W(Ta) 12m Ohms@10.8A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 10.8A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
NTMS5835NLR2G ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
FDS4672A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

11A(Ta) ±12V 2.5W(Ta) 13m Ohms@11A,4.5V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 11A 8-SOIC

暂无价格 0 对比

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