SI4840BDY-T1-GE3 与 FDS4672A 区别
| 型号 | SI4840BDY-T1-GE3 | FDS4672A | ||
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| 唯样编号 | A-SI4840BDY-T1-GE3 | A-FDS4672A | ||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | N-Channel 40 V 0.009 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | N-Channel 40 V 13 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9mΩ | 13m Ohms@11A,4.5V | ||
| 漏源极电压Vds | 3V | 40V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),6W(Tc) | 2.5W(Ta) | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±12V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | 8-SOIC | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 19A | 11A | ||
| 系列 | SI4 | PowerTrench® | ||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2000pF @ 20V | 4766pF @ 20V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 50nC @ 10V | 49nC @ 4.5V | ||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | 4.5V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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SI4840BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 19A 9mΩ 3V |
¥4.504
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0 | 当前型号 | ||||
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FDS4470 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
12.5A(Ta) +30V,-20V 2.5W(Ta) 9mΩ@12.5A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 12.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRF7468PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2.5W(Ta) 15.5mΩ@9.4A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 40V 9.4A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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FDS4480 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.8A(Ta) +30V,-20V 2.5W(Ta) 12m Ohms@10.8A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 10.8A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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NTMS5835NLR2G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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FDS4672A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
11A(Ta) ±12V 2.5W(Ta) 13m Ohms@11A,4.5V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 11A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |