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SI4835DDY-T1-GE3  与  AO4419  区别

型号 SI4835DDY-T1-GE3 AO4419
唯样编号 A-SI4835DDY-T1-GE3 A36-AO4419
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 30 V 0.018 Ohm 5.6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 125
Td(off)(ns) - 26
Rds On(Max)@Id,Vgs 18 mOhms @ 10A,10V 20mΩ@10V
ESD Diode - No
漏源极电压Vds 30V -30V
Rds On(Max)@4.5V - 35mΩ
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),5.6W(Tc) 3.1W
Qrr(nC) - 25
VGS(th) - -2.5
Qgd(nC) - 4.6
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 P-Channel P-Channel
Td(on)(ns) - 10
封装/外壳 8-SOIC SO-8
连续漏极电流Id 13A(Tc) -9.7A
工作温度 -55°C~150°C -
Ciss(pF) - 1040
Vgs(最大值) ±25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 11.5
Coss(pF) - 180
Qg*(nC) - 9.6
库存与单价
库存 0 400
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.551
100+ :  ¥1.243
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4835DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

13A(Tc) P-Channel 18 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 当前型号
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO

暂无价格 4,000 对比
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
100: ¥1.243
400 对比
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

¥1.2352 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.2352
0 对比
IRF9332TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 9.8A 28.1mΩ 2.5W

暂无价格 0 对比
AUIRF7416QTR Infineon  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20mΩ@5.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8 车规

暂无价格 0 对比

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