SI4835DDY-T1-GE3 与 IRF9332TRPBF 区别
| 型号 | SI4835DDY-T1-GE3 | IRF9332TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4835DDY-T1-GE3 | A-IRF9332TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 30 V 0.018 Ohm 5.6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET IRF9332TRPBF, 9.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18 mOhms @ 10A,10V | 28.1mΩ |
| 引脚数目 | - | 8 |
| 最小栅阈值电压 | - | 1.3V |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | - |
| 连续漏极电流Id | 13A(Tc) | 9.8A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 长度 | - | 5mm |
| Vgs(最大值) | ±25V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms |
| 正向二极管电压 | - | 1.2V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.4V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1270pF |
| 高度 | - | 1.50mm |
| 类别 | - | 功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 | - | 73 ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),5.6W(Tc) | 2.5W |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 系列 | - | HEXFET |
| 典型接通延迟时间 | - | 15 ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 41nC |
| 正向跨导 | - | 36S |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
13A(Tc) P-Channel 18 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
IRF7416TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||
|
AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.551
|
400 | 对比 | ||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.2352
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0 | 对比 | ||||||
|
IRF9332TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 9.8A 28.1mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AUIRF7416QTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20mΩ@5.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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