SI4835DDY-T1-GE3 与 IRF7416TRPBF 区别
| 型号 | SI4835DDY-T1-GE3 | IRF7416TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4835DDY-T1-GE3 | A-IRF7416TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 30 V 0.018 Ohm 5.6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | Single HexFet -30 V 2.5 W 92 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18 mOhms @ 10A,10V | 20mΩ@5.6A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),5.6W(Tc) | - |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO |
| 连续漏极电流Id | 13A(Tc) | 10A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 92nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±25V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 4,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
13A(Tc) P-Channel 18 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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IRF7416TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.551
|
400 | 对比 | ||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.2352
|
0 | 对比 | ||||||
|
IRF9332TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 9.8A 28.1mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AUIRF7416QTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20mΩ@5.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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