SI4825DDY-T1-GE3 与 AOSP21307 区别
| 型号 | SI4825DDY-T1-GE3 | AOSP21307 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4825DDY-T1-GE3 | A-AOSP21307 |
| 制造商 | Vishay | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Si4825DDY Series P-Channel 30 V 12.5 mOhm 5 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12.5mΩ | 11.5mΩ@10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.7W(Ta),5W(Tc) | 3.1W |
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±25V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SO-8 |
| 连续漏极电流Id | 10.9A | -14A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2550pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 86nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 10 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SI4825DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 14.9A(Tc) ±25V 2.7W(Ta),5W(Tc) 12.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 30V 10.9A 12.5mΩ |
暂无价格 | 10 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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DMG4407SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.45W(Ta) 11mΩ@12A,20V -50°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 9.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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AOSP21307 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -14A 3.1W 11.5mΩ@10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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AO4335 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 25V -10.5A 3.1W 18mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RRH100P03GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 650mW(Ta) 12.6mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
￥11.911
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3,700 | 对比 | ||||||||||||||||
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RRH100P03GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 650mW(Ta) 12.6mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
暂无价格 | 20 | 对比 |
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