SI4800BDY-T1-GE3 与 IRF7403TRPBF 区别
| 型号 | SI4800BDY-T1-GE3 | IRF7403TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4800BDY-T1-GE3 | A-IRF7403TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Si4800BDY Series N-Channel 30 V 0.0185 Ohm Reduced Qg Fast Switching Mosfet-SO-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 2.5W(Ta) |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SO |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 8.5A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 57nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1200pF @ 25V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 22mΩ@4A,10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 57nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4800BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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DMN3018SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±25V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 7.3A(Ta) |
暂无价格 | 1,775 | 对比 |
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DMN3018SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±25V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 7.3A(Ta) |
暂无价格 | 1,362 | 对比 |
|
IRF7403TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 22mΩ@4A,10V N-Channel 30V 8.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FDS8884 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
8.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23m Ohms@8.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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