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SI4564DY-T1-GE3  与  AO4618  区别

型号 SI4564DY-T1-GE3 AO4618
唯样编号 A-SI4564DY-T1-GE3 A36-AO4618
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N&P-Channel 40 V 0.0175/0.021 O Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14.5mΩ,17.5mΩ 19 mΩ @ 8A,10V
漏源极电压Vds 2V,2.5V 40V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W,3.2W 2W
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 SOIC-8 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A 8A,7A
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 855pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 12nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4564DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

3.1W,3.2W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N+P-Channel 10A 14.5mΩ,17.5mΩ 2V,2.5V

暂无价格 0 当前型号
AO4618 AOS 功率MOSFET

8A,7A N+P-Channel 19 mΩ @ 8A,10V 8-SOIC 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 40V

暂无价格 0 对比
AO4618 AOS 功率MOSFET

8A,7A N+P-Channel 19 mΩ @ 8A,10V 8-SOIC 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 40V

暂无价格 0 对比

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