SI4497DY-T1-GE3 与 FDS6681ZCT-ND 区别
| 型号 | SI4497DY-T1-GE3 | FDS6681ZCT-ND |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4497DY-T1-GE3 | A3t-FDS6681ZCT-ND |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.7mΩ | - |
| 上升时间 | 13ns | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 7.8W | - |
| Qg-栅极电荷 | 285nC | - |
| 栅极电压Vgs | 2.5V | - |
| 典型关闭延迟时间 | 115ns | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 75S | - |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 36A | - |
| 系列 | SI4 | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9685pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 285nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 下降时间 | 25ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 19ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 40 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4497DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 36A 7.8W 2.7mΩ 30V 2.5V |
暂无价格 | 40 | 当前型号 |
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FDS6681ZCT-ND | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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