SI4483ADY-T1-GE3 与 IRF7424PBF 区别
| 型号 | SI4483ADY-T1-GE3 | IRF7424PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4483ADY-T1-GE3 | A-IRF7424PBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Si4483ADY Series Single P-Channel 30 V 8.8 mOhms 5.9 W SMT Power Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 13.5mΩ@11A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SO |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 11A |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4030pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 110nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4483ADY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
TPC8128(TE12L,V,M) | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
IRF7424PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
13.5mΩ@11A,10V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
