SI4477DY-T1-GE3 与 IRF7425PBF 区别
| 型号 | SI4477DY-T1-GE3 | IRF7425PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4477DY-T1-GE3 | A-IRF7425PBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 20 V 0.0062 O 190 nC Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.2 mOhms @ 18A,4.5V | 8.2mΩ@15A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta),6.6W(Tc) | 2.5W(Ta) |
| Vgs(th) | 1.5V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±12V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 4.5V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO |
| 连续漏极电流Id | 26.6A(Tc) | 15A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 15V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 7980pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 4.5V |
| Vgs(最大值) | ±12V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 7980pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 45 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4477DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
26.6A(Tc) P-Channel 6.2 mOhms @ 18A,4.5V 3W(Ta),6.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 45 | 当前型号 |
|
IRF7410PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
7mΩ@16A,4.5V ±8V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 20V 16A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF7425PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.2mΩ@15A,4.5V P-Channel 20V 15A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF7425TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.2mΩ@15A,4.5V P-Channel 20V 15A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
