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SI4435DYTRPBF  与  AO4411  区别

型号 SI4435DYTRPBF AO4411
唯样编号 A-SI4435DYTRPBF A36-AO4411
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@8A,10V 32mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3.1W
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 8A -8A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2320pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2320pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 9
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4435DYTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@8A,10V P-Channel 30V 8A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
AOSP21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C

¥1.0252 

阶梯数 价格
50: ¥1.0252
200: ¥0.7898
1,500: ¥0.6864
3,000: ¥0.638
8,968 对比
AO4411 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -8A 3.1W 32mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥1.2821 

阶梯数 价格
1: ¥1.2821
100: ¥1.0204
1,000: ¥0.7353
1,500: ¥0.6329
3,000: ¥0.5
2,989 对比
AOSP21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C

¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
2,667 对比
AO4411 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -8A 3.1W 32mΩ@8A,10V -55°C~150°C

暂无价格 9 对比
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

暂无价格 1 对比

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