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SI4435DYTRPBF  与  SI4435DY  区别

型号 SI4435DYTRPBF SI4435DY
唯样编号 A-SI4435DYTRPBF A32-SI4435DY
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 P-Channel 30 V 20 mOhm 17 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@8A,10V 0.035 0hms
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs ±20V -20 V、+20 V
封装/外壳 8-SO 4.9*3.9*1.57mm
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 8A 8.8 A
长度 - 4.9mm
最低工作温度 - -55 °C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
正向二极管电压 - 1.2V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
最高工作温度 - +175 °C
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2320pF @ 15V -
高度 - 1.57mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 42 ns
漏源极电压Vds 30V 1604 pF @ -15 V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W
晶体管配置 -
FET类型 P-Channel 增强
系列 HEXFET® PowerTrench
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2320pF @ 15V 1604pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V 24nC @ 5V
典型接通延迟时间 - 13 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
正向跨导 - 24S
库存与单价
库存 0 180
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥0.556
100+ :  ¥0.4882
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4435DYTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
AOSP21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.177 

阶梯数 价格
50: ¥1.177
200: ¥0.902
1,500: ¥0.7843
3,000: ¥0.682
5,571 对比
AO4411 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.2821 

阶梯数 价格
1: ¥1.2821
100: ¥1.0204
1,000: ¥0.7353
1,500: ¥0.6329
3,000: ¥0.5
2,989 对比
AOSP21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
2,667 对比
DMP3036SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
1,250: ¥1.0384
2,500: ¥0.88
2,500 对比
SI4435DY ON Semiconductor 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9*3.9*1.57mm 4.9mm

¥0.556 

阶梯数 价格
1: ¥0.556
100: ¥0.4882
180 对比

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