SI4435DDY-T1-GE3 与 FDS6675BZ 区别
| 型号 | SI4435DDY-T1-GE3 | FDS6675BZ | ||||||||
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| 唯样编号 | A-SI4435DDY-T1-GE3 | A36-FDS6675BZ | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET | P-Channel 30 V 21.8 mOhm 2.5 W Power Trench Mosfet - SOIC-8 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 24mΩ | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),5W(Tc) | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | 8-SOIC | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 8.1A | - | ||||||||
| 系列 | SI | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1350pF @ 15V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 50nC @ 10V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 40 | 5,090 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI4435DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 8.1A 24mΩ |
暂无价格 | 40 | 当前型号 | ||||||||||
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DMP3037LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.2W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 5.8A(Ta) |
￥1.133
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868 | 对比 | ||||||||||
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DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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FDS6675BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
￥3.003
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5,090 | 对比 | ||||||||||
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IRF7416TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
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