SI4431CDY-T1-GE3 与 DMP3056LSS-13 区别
| 型号 | SI4431CDY-T1-GE3 | DMP3056LSS-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4431CDY-T1-GE3 | A-DMP3056LSS-13 |
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | P-Channel 30 V 45 mO Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOP-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.1mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 32mΩ | 45mΩ |
| 上升时间 | - | 5.3ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),4.2W(Tc) | 2.5W |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 26.5ns |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SOP |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 7A | 7.1A |
| 系列 | SI | DMP3056 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | SingleQuadDrainTripleSource |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1006pF @ 15V | 722pF @ 25V |
| 长度 | - | 5.3mm |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 38nC @ 10V | 6.8nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 14.7ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 6.4ns |
| 高度 | - | 1.50mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 135 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI4431CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),4.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 7A 32mΩ |
暂无价格 | 135 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO4411 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -8A 3.1W 32mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
¥1.2821
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2,989 | 对比 | ||||||||||||
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DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOP 7.1A 2.5W 45mΩ 30V 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOP 7.1A 2.5W 45mΩ 30V 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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FDS4435BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@-8.8A,-10V ±25V SO-8 -55°C~150°C -8.8A -30V 2.5W P-Channel |
暂无价格 | 10,000 | 对比 | ||||||||||||
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FDS9435A | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOP-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |