SI4431CDY-T1-GE3 与 AO4411 区别
| 型号 | SI4431CDY-T1-GE3 | AO4411 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-SI4431CDY-T1-GE3 | A-AO4411 | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 32mΩ | 32mΩ@8A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),4.2W(Tc) | 3.1W | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SO-8 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 7A | -8A | ||||||||||
| 系列 | SI | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1006pF @ 15V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 38nC @ 10V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 135 | 2,989 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 5天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI4431CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),4.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 7A 32mΩ |
暂无价格 | 135 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO4411 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -8A 3.1W 32mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.2821
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2,989 | 对比 | ||||||||||||
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DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOP 7.1A 2.5W 45mΩ 30V 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOP 7.1A 2.5W 45mΩ 30V 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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FDS4435BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@-8.8A,-10V ±25V SO-8 -55°C~150°C -8.8A -30V 2.5W P-Channel |
暂无价格 | 10,000 | 对比 | ||||||||||||
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FDS9435A | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOP-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
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