SI4425DDY-T1-GE3 与 SI4425DY 区别
| 型号 | SI4425DDY-T1-GE3 | SI4425DY | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4425DDY-T1-GE3 | A3t-SI4425DY | ||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 | ||
| 描述 | SI4425DDY Series 30 V 9.8 mOhm 80 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | - | ||
| 连续漏极电流Id | 19.7A(Tc) | - | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.8 mOhms @ 13A,10V | - | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),5.7W(Tc) | - | ||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||
| FET类型 | P-Channel | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
19.7A(Tc) P-Channel 9.8 mOhms @ 13A,10V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
¥1.2234
|
0 | 当前型号 | ||||
|
SI4425DY | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
IRF9310PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.6mΩ@20A,10V P-Channel 30V 20A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |