SI4425DDY-T1-GE3 与 IRF9310PBF 区别
| 型号 | SI4425DDY-T1-GE3 | IRF9310PBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4425DDY-T1-GE3 | A-IRF9310PBF | ||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | SI4425DDY Series 30 V 9.8 mOhm 80 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | Single P-Channel 30 V 6.8 mOhm 58 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.8 mOhms @ 13A,10V | 4.6mΩ@20A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),5.7W(Tc) | 2.5W(Ta) | ||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||
| 连续漏极电流Id | 19.7A(Tc) | 20A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.4V @ 100µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5250pF @ 15V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 165nC @ 10V | ||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.4V @ 100µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5250pF @ 15V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 165nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
19.7A(Tc) P-Channel 9.8 mOhms @ 13A,10V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥1.2234
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0 | 当前型号 | ||||
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SI4425DY | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF9310PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.6mΩ@20A,10V P-Channel 30V 20A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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