SI4410DYTRPBF 与 SI4134DY-T1-GE3 区别
| 型号 | SI4410DYTRPBF | SI4134DY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4410DYTRPBF | A3t-SI4134DY-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 2.5 W 30 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 3.9 mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 13.5mΩ@10A,10V | 14mΩ |
| 零件号别名 | - | SI4134DY-GE3 |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 2.5W(Ta),5W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | SOIC-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 10A(Ta) | 14A |
| 系列 | HEXFET® | SI |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1585pF @ 15V | 846pF @ 15V |
| 长度 | - | 4.9 mm |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 45nC @ 10V | 23nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1585pF @ 15V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 45nC @ 10V | - |
| 高度 | - | 1.75 mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4410DYTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 10A(Ta) 13.5mΩ@10A,10V 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SI4134DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 14A 14mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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|
SI4134DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 14A 14mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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