SI4401DDY-T1-GE3 与 TPC8124 区别
| 型号 | SI4401DDY-T1-GE3 | TPC8124 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4401DDY-T1-GE3 | A3t-TPC8124 |
| 制造商 | Vishay | Toshiba |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | MOSFET | Toshiba TPC 系列 Si P沟道 MOSFET TPC8124, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP封装 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 1.9 W |
| 宽度 | - | 4.4mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15mΩ | 10 m0hms |
| 上升时间 | 11ns | - |
| Qg-栅极电荷 | 64nC | - |
| 引脚数目 | - | 8 |
| 栅极电压Vgs | 1.2V | -25 V,+20 V |
| 正向跨导 - 最小值 | 37S | - |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | 5.0*4.4*1.5mm |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 16.1A | 12 A |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | - | 5mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms |
| 最高工作温度 | - | +150 °C |
| 下降时间 | 9ns | - |
| 高度 | - | 1.50mm |
| 类别 | - | 功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 | - | 390 ns |
| 漏源极电压Vds | 40V | 4750 pF @ -10 V |
| 晶体管材料 | - | Si |
| Pd-功率耗散(Max) | 6.3W | - |
| 晶体管配置 | - | 单 |
| 典型关闭延迟时间 | 45ns | - |
| FET类型 | - | 增强 |
| 系列 | SI4 | TPC |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3007pF @ 20V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 95nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | 13ns | 17 ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 24 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 16.1A 6.3W 15mΩ 40V 1.2V |
暂无价格 | 24 | 当前型号 |
|
RSH070P05TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
暂无价格 | 100 | 对比 |
|
TPC8124(TE12L,V,M) | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
IRF7240PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 15mΩ@10.5A,10V P-Channel 40V 10.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
TPC8124 | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
|
RSH070P05TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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