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SI4401DDY-T1-GE3  与  TPC8124(TE12L,V,M)  区别

型号 SI4401DDY-T1-GE3 TPC8124(TE12L,V,M)
唯样编号 A-SI4401DDY-T1-GE3 A3t-TPC8124(TE12L,V,M)
制造商 Vishay Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 未分类
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ -
上升时间 11ns -
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 6.3W -
Qg-栅极电荷 64nC -
栅极电压Vgs 1.2V -
典型关闭延迟时间 45ns -
正向跨导 - 最小值 37S -
封装/外壳 SOIC-8 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 16.1A -
系列 SI4 -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3007pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 95nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 9ns -
典型接通延迟时间 13ns -
库存与单价
库存 24 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4401DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 16.1A 6.3W 15mΩ 40V 1.2V

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