SI4214DDY-T1-GE3 与 FDS6990AS 区别
| 型号 | SI4214DDY-T1-GE3 | FDS6990AS |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4214DDY-T1-GE3 | A3t-FDS6990AS |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 0.0195 Ohm 5 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | N-Channel 30 V 22 mOhm Dual PowerTrench SyncFET - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 900mW |
| 功率 | - | 9/10W |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| FET类型 | - | 逻辑电平门 |
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SO |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 7.5A |
| 系列 | - | PowerTrench®,SyncFET™ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 550pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 14nC @ 5V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 22 毫欧 @ 7.5A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 550pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 14nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDS8984 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET | 暂无价格 | 1,929 | 对比 | |
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PHKD13N03LT,518 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | |
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FDS6990AS | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
22m Ohms@7.5A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 30V 7.5A 22 毫欧 @ 7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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FDS6910F011 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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FDS6982AS_NL | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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