SI4202DY-T1-GE3 与 FDS6982AS 区别
| 型号 | SI4202DY-T1-GE3 | FDS6982AS |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4202DY-T1-GE3 | A3t-FDS6982AS |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | Dual N-Channel 20 V 14 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8 | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 3.99mm |
| 功率 | - | 2W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14 mOhms @ 8A,10V | 14 m0hms,28 m0hms |
| 零件号别名 | - | FDS6982AS_NL |
| 正向跨导-最小值 | - | 32 S, 19 S |
| 上升时间 | - | 7 ns |
| 引脚数目 | - | 8 |
| 最小栅阈值电压 | - | 1V |
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | -20 V、+20 V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 5.0*3.99*1.5mm |
| 连续漏极电流Id | 12.1A | 6.3 A,8.6 A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 配置 | - | Dual Dual Drain |
| 长度 | - | 5mm |
| 最低工作温度 | - | -55 °C |
| 最高工作温度 | - | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | - | 2 |
| 下降时间 | - | 3 ns |
| 高度 | - | 1.50mm |
| 类别 | - | 功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 | - | 24 ns, 27 ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V |
| 晶体管材料 | - | Si |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W | 900mW |
| 晶体管配置 | - | 隔离式 |
| 典型关闭延迟时间 | - | 24 ns |
| FET类型 | 2N-Channel | 增强 |
| 系列 | - | PowerTrench, SyncFET |
| 通道数量 | - | 2 Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 610pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 15nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | - | 12 ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 25 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4202DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
12.1A 2N-Channel 14 mOhms @ 8A,10V 3.7W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 25 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A |
￥1.419
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5,418 | 对比 | ||||||||||
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DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel |
￥1.804
|
1,939 | 对比 | ||||||||||
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FDS6982AS | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
20V 28mΩ@6.3A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 6.3A,8.6A 6.3 A,8.6 A 30 V 14 m0hms,28 m0hms -20 V、+20 V 增强 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V 5.0*3.99*1.5mm |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AO4832 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 2W 13mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥1.3999
|
0 | 对比 |
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