SI4202DY-T1-GE3 与 AO4832 区别
| 型号 | SI4202DY-T1-GE3 | AO4832 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4202DY-T1-GE3 | A-AO4832 | ||
| 制造商 | Vishay | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Dual N-Channel 20 V 14 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO-8 | ||
| 连续漏极电流Id | 12.1A | 10A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14 mOhms @ 8A,10V | 13mΩ@10A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W | 2W | ||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||
| 栅极电压Vgs | - | 20V | ||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 25 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI4202DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
12.1A 2N-Channel 14 mOhms @ 8A,10V 3.7W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 25 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A |
￥1.419
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5,418 | 对比 | ||||||||||
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DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel |
￥1.804
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1,939 | 对比 | ||||||||||
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FDS6982AS | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
20V 28mΩ@6.3A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 6.3A,8.6A 6.3 A,8.6 A 30 V 14 m0hms,28 m0hms -20 V、+20 V 增强 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V 5.0*3.99*1.5mm |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AO4832 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 2W 13mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥1.3999
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0 | 对比 |
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