SI4190ADY-T1-GE3 与 AO4294 区别
| 型号 | SI4190ADY-T1-GE3 | AO4294 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4190ADY-T1-GE3 | A-AO4294 |
| 制造商 | Vishay | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 11 |
| 宽度 | 3.9 mm | - |
| 零件号别名 | SI4190ADY-GE3 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.8mΩ | 12mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 15.5mΩ |
| Qgd(nC) | - | 4 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| Td(on)(ns) | - | 8 |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SO-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 18.4A | 11.5A |
| Ciss(pF) | - | 2420 |
| 长度 | 4.9 mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| 高度 | 1.75 mm | - |
| Trr(ns) | - | 25 |
| Td(off)(ns) | - | 25 |
| 漏源极电压Vds | 2.8V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta),6W(Tc) | 3.1W |
| Qrr(nC) | - | 110 |
| VGS(th) | - | 2.4 |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | SI | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1970pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 67nC @ 10V | - |
| Coss(pF) | - | 170 |
| Qg*(nC) | - | 15 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 50 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 18.4A 8.8mΩ 2.8V |
暂无价格 | 50 | 当前型号 |
|
AO4296 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 100V 20V 13.5A 3.1W 8.3mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
AO4294 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 100V 20V 11.5A 3.1W 12mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
FDS86140 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
11.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 9.8m Ohms@11.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 11.2A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
FDS86140 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
11.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 9.8m Ohms@11.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 11.2A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF7853TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 18mΩ@8.3A,10V N-Channel 100V 8.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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