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SI4178DY-T1-GE3  与  AO4466  区别

型号 SI4178DY-T1-GE3 AO4466
唯样编号 A-SI4178DY-T1-GE3 A36-AO4466
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 0.021 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 41
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 35mΩ
Qgd(nC) - 1.6
栅极电压Vgs ±25V 20V
Td(on)(ns) - 4.3
封装/外壳 SOIC-8 SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 12A 10A
Ciss(pF) - 373
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
导通电阻Rds(On) 17mΩ 23mΩ@10V
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 6
Td(off)(ns) - 15.8
功率耗散Pd 2.4W(Ta),5W(Tc) 3.1W
漏源极电压Vds 30V 30V
Qrr(nC) - 6.6
VGS(th) - 2.6
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 405pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
Coss(pF) - 67
Qg*(nC) - 3.5
库存与单价
库存 0 2,387
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.098
200+ :  ¥0.8448
1,500+ :  ¥0.7344
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4178DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±25V 2.4W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 12A 17mΩ

暂无价格 0 当前型号
AO4496 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C

¥0.4927 

阶梯数 价格
110: ¥0.4927
200: ¥0.3172
1,500: ¥0.2756
2,577 对比
DMN3030LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SO-8

暂无价格 2,500 对比
AO4466 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 3.1W 23mΩ@10V

¥1.098 

阶梯数 价格
50: ¥1.098
200: ¥0.8448
1,500: ¥0.7344
2,387 对比
DMN3018SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.4W(Ta) ±25V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 7.3A(Ta)

¥1.488 

阶梯数 价格
40: ¥1.488
100: ¥1.1472
395 对比
DMN3030LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SO-8

暂无价格 1 对比

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