SI4178DY-T1-GE3 与 AO4496 区别
| 型号 | SI4178DY-T1-GE3 | AO4496 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4178DY-T1-GE3 | A-AO4496 | ||
| 制造商 | Vishay | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | N-Channel 30 V 0.021 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Crss(pF) | - | 55 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 17mΩ | 19.5mΩ@10A,10V | ||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 26mΩ | ||
| Qgd(nC) | - | 2.2 | ||
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±20V | ||
| Td(on)(ns) | - | 5 | ||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SO-8 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 12A | 10A | ||
| Ciss(pF) | - | 550 | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||
| Trr(ns) | - | 22 Ohms | ||
| Td(off)(ns) | - | 24 | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.4W(Ta),5W(Tc) | 3.1W | ||
| Qrr(nC) | - | 14 | ||
| VGS(th) | - | 2.5 | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 系列 | TrenchFET® | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 405pF @ 15V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - | ||
| Coss(pF) | - | 110 | ||
| Qg*(nC) | - | 4.6 | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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SI4178DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 2.4W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 12A 17mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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AO4466 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 3.1W 23mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AO4496 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥1.6031
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0 | 对比 | ||||
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IRF7807TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 25mΩ@7A,4.5V N-Channel 30V 8.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRF7807VTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 25mΩ@7A,4.5V N-Channel 30V 8.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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NDS8410 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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