SI4168DY-T1-GE3 与 FDS6688 区别
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规格信息
型号	SI4168DY-T1-GE3	FDS6688
唯样编号	A-SI4168DY-T1-GE3	A3t-FDS6688
制造商	Vishay	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	未分类
描述	Si4168DY Series 30 V 24 A 5.7 mOhm Surface Mount P-Channel MOSFET - SOIC-8
数据表	SI4168DY-T1-GE3.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	-	2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.2mΩ	6 毫欧 @ 16A,10V
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta),5.7W(Tc)	-
栅极电压Vgs	±20V	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	SOIC-8	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	24A	16A(Ta)
系列	TrenchFET®	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1720pF @ 15V	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	44nC @ 10V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	3888pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	56nC @ 5V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
SI4168DY-T1-GE3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 24A 6.2mΩ	暂无价格	当前型号
FDS6688	ON Semiconductor		未分类		暂无价格	对比
FDS8896	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	15A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 6mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 15A 8-SOIC	暂无价格	对比
FDS8896	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	15A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 6mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 15A 8-SOIC	暂无价格	对比
IRF7458TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±30V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8mΩ@14A,16V N-Channel 30V 14A 8-SO	暂无价格	对比
IRF7413PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) 11mΩ@7.3A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 30V 13A 8-SO	暂无价格	对比