首页 > 商品目录 > > > > SI4156DY-T1-GE3代替型号比较

SI4156DY-T1-GE3  与  IRL6342TRPBF  区别

型号 SI4156DY-T1-GE3 IRL6342TRPBF
唯样编号 A-SI4156DY-T1-GE3 A-IRL6342TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 Single N-Channel 30 V 2.5 W 11 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6 mOhms @ 15.7A,10V 14.6mΩ@9.9A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),6W(Tc) 2.5W(Ta)
Vgs(th) 2.2V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 24A(Tc) 9.9A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1025pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1025pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4156DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

24A(Tc) N-Channel 6 mOhms @ 15.7A,10V 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 当前型号
PHK13N03LT,518 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
IRF8714TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.7mΩ@14A,10V N-Channel 30V 14A 8-SO

暂无价格 0 对比
FDS6670A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

13A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 8m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 13A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
NTMS4937NR2G ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
IRL6342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 14.6mΩ@9.9A,4.5V N-Channel 30V 9.9A 8-SO

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售