SI4114DY-T1-GE3 与 IRF7456TRPBF 区别
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规格信息
型号	SI4114DY-T1-GE3	IRF7456TRPBF
唯样编号	A-SI4114DY-T1-GE3	A-IRF7456TRPBF
制造商	Vishay	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	功率MOSFET
描述	Single N-Channel 20 V 6 mOhm 5.7 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8	Single N-Channel 20 V 2.5 W 41 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表	SI4114DY-T1-GE3.pdf	IRF7456TRPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率耗散Pd	2.5W(Ta),5.7W(Tc)	2.5W(Ta)
漏源极电压Vds	20V	20V
Vgs(th)	2.1V @ 250uA	-
栅极电压Vgs	-	±12V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	8-SOIC	8-SO
连续漏极电流Id	20A(Tc)	16A
工作温度	-55°C~150°C	-55°C~150°C(TJ)
系列	-	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	-	2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	3640pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	62nC @ 5V
Vgs(最大值)	±16V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	-	2.8V,10V
导通电阻Rds(On)	6 mOhms @ 10A,10V	6.5mΩ@16A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	3640pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	62nC @ 5V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
SI4114DY-T1-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	20A(Tc) N-Channel 6 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 20V	暂无价格	当前型号
IRF7456TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 6.5mΩ@16A,10V N-Channel 20V 16A 8-SO	暂无价格	对比
FDS6570A	ON Semiconductor		通用MOSFET	2.5W(Ta) 7.5m Ohms@15A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOIC 15A N-Channel 20V 15A(Ta) ±8V 7.5 毫欧 @ 15A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)	暂无价格	对比
IRF3717PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	4.4mΩ@20A,10V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 20V 20A 8-SO	暂无价格	对比
FDS8812NZ	ON Semiconductor		未分类		暂无价格	对比
FDS6574A	ON Semiconductor		通用MOSFET	2.5W(Ta) 6m Ohms@16A,4.5V -55°C~175°C(TJ) 16A 20V 16A(Ta) ±8V 6 毫欧 @ 16A,4.5V -55°C~175°C(TJ) 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) N-Channel 16 A 20 V 6 m0hms -8 V、+8 V SOIC 增强 5.04.01.5mm 7657 pF @ 10 V	暂无价格	对比