SI4114DY-T1-GE3 与 IRF3717PBF 区别
| 型号 | SI4114DY-T1-GE3 | IRF3717PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4114DY-T1-GE3 | A-IRF3717PBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 20 V 6 mOhm 5.7 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | Single N-Channel 20 V 2.5 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6 mOhms @ 10A,10V | 4.4mΩ@20A,10V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),5.7W(Tc) | 2.5W(Ta) |
| Vgs(th) | 2.1V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO |
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) | 20A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| Vgs(最大值) | ±16V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.45V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2890pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 33nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 25 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4114DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
20A(Tc) N-Channel 6 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 25 | 当前型号 |
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IRF7456TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 6.5mΩ@16A,10V N-Channel 20V 16A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF3717PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
4.4mΩ@20A,10V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 20V 20A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FDS8812NZ | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRF7401TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 22mΩ@4.1A,4.5V N-Channel 20V 8.7A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FDS6572A | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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