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SI4090BDY-T1-GE3  与  RS6P100BHTB1  区别

型号 SI4090BDY-T1-GE3 RS6P100BHTB1
唯样编号 A-SI4090BDY-T1-GE3 A3-RS6P100BHTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id - 100A
工作温度 - -55℃~150℃
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.9mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 104W
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 50
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4090BDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃

¥25.403 

阶梯数 价格
6: ¥25.403
10: ¥15.0636
30: ¥11.2881
50: ¥10.5311
100: ¥9.9562
300: ¥9.5824
500: ¥9.5058
1,000: ¥9.4483
2,100 对比
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150℃ ±20V 100V 60A

暂无价格 100 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃

¥19.6519 

阶梯数 价格
1: ¥19.6519
100: ¥9.8259
97 对比
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150℃ ±20V 100V 60A

¥13.2013 

阶梯数 价格
1: ¥13.2013
100: ¥6.6007
95 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃

暂无价格 50 对比

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