SI4062DY-T1-GE3 与 AO4268 区别
| 型号 | SI4062DY-T1-GE3 | AO4268 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4062DY-T1-GE3 | A36-AO4268 | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Crss(pF) | - | 65 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.2mΩ | 4.8mΩ@19A,10V | ||||||||||
| 上升时间 | 6ns | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 6.5mΩ | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 40nC | - | ||||||||||
| Qgd(nC) | - | 6.5 | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 1.4V | ±20V | ||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 80S | - | ||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 6 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | SO-8 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 32.1A | 19A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||
| Ciss(pF) | - | 2500 | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 下降时间 | 8ns | - | ||||||||||
| Trr(ns) | - | 22 Ohms | ||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 22 Ohms | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 7.8W | 3.1W | ||||||||||
| Qrr(nC) | - | 80 | ||||||||||
| VGS(th) | - | 2.3 | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 34ns | - | ||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||
| 系列 | SI4 | - | ||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.6V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3175pF @ 30V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 60nC @ 10V | - | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 16ns | - | ||||||||||
| Coss(pF) | - | 670 | ||||||||||
| Qg*(nC) | - | 21 | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 40 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
|
||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4062DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
32.1A 7.8W 4.2mΩ 60V 1.4V SO-8 -55°C~150°C |
暂无价格 | 40 | 当前型号 | ||||||||||||
|
AO4268 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V ±20V 19A 3.1W 4.8mΩ@19A,10V -55°C~150°C |
¥4.213
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||
|
AO4268 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V ±20V 19A 3.1W 4.8mΩ@19A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
|
FDS5670 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 14mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 60V 10A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
|
FDS5670 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 14mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 60V 10A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |