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SI4062DY-T1-GE3  与  AO4268  区别

型号 SI4062DY-T1-GE3 AO4268
唯样编号 A-SI4062DY-T1-GE3 A-AO4268
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 65
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ 4.8mΩ@19A,10V
上升时间 6ns -
Rds On(Max)@4.5V - 6.5mΩ
Qg-栅极电荷 40nC -
Qgd(nC) - 6.5
栅极电压Vgs 1.4V ±20V
正向跨导 - 最小值 80S -
Td(on)(ns) - 6
封装/外壳 SO-8 SO-8
连续漏极电流Id 32.1A 19A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
配置 Single -
Ciss(pF) - 2500
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 8ns -
Trr(ns) - 22 Ohms
Td(off)(ns) - 22 Ohms
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 7.8W 3.1W
Qrr(nC) - 80
VGS(th) - 2.3
典型关闭延迟时间 34ns -
FET类型 - N-Channel
系列 SI4 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3175pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
典型接通延迟时间 16ns -
Coss(pF) - 670
Qg*(nC) - 21
库存与单价
库存 40 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4062DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

32.1A 7.8W 4.2mΩ 60V 1.4V SO-8 -55°C~150°C

暂无价格 40 当前型号
AO4268 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 60V ±20V 19A 3.1W 4.8mΩ@19A,10V -55°C~150°C

¥4.213 

阶梯数 价格
20: ¥4.213
100: ¥3.52
750: ¥3.256
1,500: ¥3.091
3,000: ¥2.97
3,000 对比
AO4268 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 60V ±20V 19A 3.1W 4.8mΩ@19A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
FDS5670 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 14mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 60V 10A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
FDS5670 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 14mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 60V 10A 8-SOIC

暂无价格 0 对比

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