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SI4056DY-T1-GE3  与  AO4292E  区别

型号 SI4056DY-T1-GE3 AO4292E
唯样编号 A-SI4056DY-T1-GE3 A3-AO4292E
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET Single - N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 6.3
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ 23mΩ@8A,10V
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 33mΩ
Qgd(nC) - 2.5
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) - 7
封装/外壳 SOIC-8 SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 11.1A 8A
Ciss(pF) - 1200
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Trr(ns) - 20
Td(off)(ns) - 20
漏源极电压Vds 2.8V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 3.1W
Qrr(nC) - 80
VGS(th) - 2.7
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 SI -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29.5nC @ 10V -
Coss(pF) - 93
Qg*(nC) - 8
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
3,000+ :  ¥5.4906
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4056DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 11.1A 23mΩ 2.8V

暂无价格 0 当前型号
AO4292E AOS  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
30: ¥2.068
100: ¥1.65
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AO4292E AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 100V ±20V 8A 3.1W 23mΩ@8A,10V -55℃~150℃

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阶梯数 价格
3,000: ¥2.6864
0 对比
AO4292E AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 100V ±20V 8A 3.1W 23mΩ@8A,10V -55℃~150℃

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暂无价格 0 对比

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