SI3585CDV-T1-GE3 与 DMG6601LVT-7 区别
| 型号 | SI3585CDV-T1-GE3 | DMG6601LVT-7 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI3585CDV-T1-GE3 | A36-DMG6601LVT-7 | ||||||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | Dual N / P-Channel 20 V 0.058/0.195 O 4.8 nC Surface Mount Power Mosfet - TSOP- | N & P-Channel 30 V 110 mO Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 58 mOhms @ 2.5A,4.5V | 55mΩ,110mΩ | ||||||
| 上升时间 | - | 7.4ns,4.6ns | ||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W,1.3W | 1.3W | ||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 12.3nC,13.8nC | ||||||
| Vgs(th) | 1.5V @ 250uA | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | 500mV,400mV | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 31.2ns,18.3ns | ||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TSOT-23-6 | TSOT-26 | ||||||
| 连续漏极电流Id | 3.9A,2.1A | 3.8A,2.5A | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 系列 | - | DMG6601 | ||||||
| 通道数量 | - | 2Channel | ||||||
| 配置 | - | Dual | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 422pF @ 15V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12.3nC @ 10V | ||||||
| 下降时间 | - | 15.6ns,2.2ns | ||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 1.6ns,1.7ns | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,432 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI3585CDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
3.9A,2.1A N+P-Channel 58 mOhms @ 2.5A,4.5V 1.4W,1.3W TSOT-23-6 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG6601LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel |
￥0.6765
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2,432 | 对比 | ||||||||||
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DMG6601LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMG6601LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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FDC6327C | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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FDC6420C | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
￥2.068
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2,985 | 对比 |
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