尊敬的客户:我司春节放假时间为2-15至2-22,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > SI3474DV-T1-GE3代替型号比较

SI3474DV-T1-GE3  与  FDC3612  区别

型号 SI3474DV-T1-GE3 FDC3612
唯样编号 A-SI3474DV-T1-GE3 A-FDC3612-1
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET MOSFET
描述 N-Channel 100 V 125 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SSOT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TSOT-23-6 SuperSOT-6
连续漏极电流Id 3.8A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 126 mOhms @ 2A,10V -
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Tc) -
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 3V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI3474DV-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.8A(Tc) N-Channel 126 mOhms @ 2A,10V 3.6W(Tc) TSOT-23-6 -55°C~150°C 100V

暂无价格 0 当前型号
FDC3612 ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SuperSOT-6

暂无价格 3,000 对比
FDC3612 ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SuperSOT-6

暂无价格 0 对比
FDC3612 ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SuperSOT-6

暂无价格 0 对比
FDC3612NL ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售